韩美半导体将顺应高带宽存储器(HBM)市场的技术转换趋势,于明年年末推出新一代专用设备"Wide TC Bonder" 业界认为，该装备将从HBM5（第8代）开始正式适用。

人工智能(AI)半导体的核心部件HBM是由多个DRAM堆积而成的。 TC Bonder是在此过程中对各DRAM模具进行精密的热和压力接合的设备,被认为是生产HBM的必要工艺设备。

最近,存储器业界为了超越"20段以上高积层"的物理局限,正在加速开发水平扩张的"Wide HBM",而不是垂直。 其方式是扩大DRAM芯片面积,确保内存容量和带宽,同时缓解发热问题,提高电力效率。

如果HBM管芯变大,可以配置更多的硅贯通电极(TSV)和输入输出(I/O)接口。 另外,连接DRAM和芯片之间连接电路的微型凸块数量也将增加,从而提高数据传输效率,并便于热扩散。

韩美半导体的新型Wide TC Bonder将增加"无通量粘合(Fluxless Bonding)"功能。 这是在没有助焊剂的情况下去除芯片表面氧化膜的新一代接合技术。 通过消除残留物清洗工艺,简化工艺,加强接合强度。 同时,还可以减少HBM厚度,改善套餐效率。

业界部分人士观测说:"由于引进宽TC Bonder,当初预计2027年上市的混合动力Bonder设备的商用化时间可能会有所推迟。" 韩美半导体已经投入了约1000亿韩元开发混合动力粘合剂技术。

韩美半导体会长郭东信(音)表示:"为了配合HBM技术的变化,我们计划率先提供适用新技术的Wide TC Bonder","将为强化顾客公司新一代HBM生产竞争力做出贡献"

另外,成立于1980年的韩美半导体是拥有全世界约320多家客户的全球半导体设备企业。 目前,在HBM生产用TC Bonder市场上居世界首位,仅HBM相关专利就拥有120项以上。