今年第三季度与SK海力士在DRAM市场展开激烈竞争的三星电子，预计将在第四季度重夺榜首位置。

高性能人工智能（ AI）内存和通用内存价格的大幅上涨是推动其性能提升的主要因素。

近期，证券机构预测三星电子今年第四季度的营业利润将超过18万亿韩元，远超市场预期。

负责半导体业务的器件解决方案（ DS ）部门的营业利润预计将达到约15.1万亿韩元

，环比增长166%，同比增长422%。

今年第一季度，三星电子33年来首次将全球DRAM市场第一的宝座拱手让给了SK

海力士。 第二季度，三星电子不仅失去了DRAM市场的领先地位，也失去了其在整个内存市场的领先地位。这主要归功于三星电子在高带宽内存（HBM ）市场的领先地位，该产品受益于

人工智能基础设施的极大发展。 然而，随着HBM业务的复苏，三星电子在第三季度成功大幅缩小了与SK海力士的市场份额差距。 市场研究公司TrendForce的数据显示，第三季度DRAM整体市场份额分别为：SK海力士33.2%，三星电子32.6%，美光25.7%。三星电子与SK海力士之间的差距 从第二季度的6个百分点显著缩小至0.6个百分点。 受此复苏的推动，三星电子有望在今年第四季度重夺DRAM市场霸主地位。 通用内存价格近期的上涨也被认为显著提升了三星电子的盈利能力。由于对人工智能基础设施的投资不断增加，导致旧款内存产品的供应减少，通用DRAM价格近几个月来持续大幅上涨。 据市场研究公司DRAMeXchange的数据显示， 11月份通用型PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均合约价格为8.10美元，较上月上涨15.7%。这是自2018年9月（8.19美元）以来， DDR4平均合约价格七年零两个月以来首次突破8美元大关。 今年3月，DDR4平均合约价格仅为1.35美元，而短短八个月内，价格已上涨六倍，且每月均保持两位数增长。构建AI数据中心的云服务提供商正积极采购内存，导致包括HBM 、通用型DRAM和NAND在内的所有内存价格全面上涨。TrendForce 预测，第四季度通用型DRAM价格将环比上涨45%至50%，而包括HBM在内的DRAM总价格将上涨50%至55%。 三星电子在三大内存厂商中拥有最大的产能。 与竞争对手相比，通用DRAM在其销售额中所占比例相对较高。 因此，预计通用内存价格上涨将最大程度地惠及三星电子。Kiwoom Securities的研究员朴有岳（Park Yoo-ak）预测：“由于通用DRAM价格环比上涨46%，三星电子第四季度DRAM的营业利润率将升至53%。” 此外，美光科技近期宣布计划从明年2月起退出消费级内存业务，预计也将对三星电子带来一些好处。 三星电子目前也在大规模生产消费级内存产品，尽管产量较小。 美光退出该业务可能会带来一些意外之财，并因价格上涨而提高盈利能力。 随着NAND闪存需求的增强，三星电子的盈利能力预计也将加速增长。 预计第四季度NAND闪存价格将环比上涨20%至25%。价格上涨的驱动因素是人工智能数据中心对高性能三层单元 ( TLC ) 和四层单元 ( QLC ) 企业级固态硬盘的需求不断增长。