三星电子总裁 表示：“我们将把 DRAM 和 NAND 的集成度提高到极致。”
三星电子存储器事业部长（社长）李正培表明了将DRAM和NAND闪存集成度提高到极限水平的抱负。
17日,李正培(音)社长在三星电子新闻室刊登的投稿中强调:"DRAM正在研究开发3D积层结构、新物质,V NAND在持续增加单数的同时减少高度等,将最大限度地减少单元之间的干涉。三星电子在业界实现最小单元大小的优势将不断升级。"
接着,他补充道:"为了最大限度地提高V NAND的输入输出(I/O)速度,正在准备引进新结构等,为了创造新价值,正在开发新一代革新技术。"
三星电子社长李正培【照片=三星电子】
李社长表示:"高带宽存储器*HBM是人工智能(AI)时代能够为顾客提供新价值的核心产品,可以扩展到为顾客量身定做的HBM产品等,提供最佳解决方案"
接着,他补充道:"将在器兴校园构筑尖端半导体研究、开发(R&D)生产线等,继续为未来进行投资。"