随着人工智能(AI)市场的扩大,对高带宽存储器(HBM)的需求剧增,预计明年HBM将占DRAM总销售额的30%以上。

7日,据台湾市场调查企业Trend Force透露,HBM在整个DRAM比特(bit)容量中所占的比重将从2023年的2%上升到今年的5%,到2025年将超过10%。

Trend Force预测,HBM的比重在市场价值(销售额)方面将从2023年全体DRAM的8%增加到今年的21%,到2025年将超过30%。 HBM的销售单价到2025年将上升5%至10%。

Trendforce表示:"HBM的销售单价是现有DRAM的几倍,是DDR5的5倍左右","这种定价与增加单一设备HBM容量的AI芯片技术相结合,在DRAM市场上容量和市场价值都将大幅提高HBM的占有率"

今年HBM需求增长率接近200%,预计明年将增加2倍。

Trendforce解释说:"2025年HBM价格协商已经在今年第二季度开始了","由于DRAM的整体生产能力有限,供应商们提前将价格上调了5%至10%,这对HBM2E、HBM3、HBM3E产生了影响"

这是因为HBM购买者对AI需求前景保持着很高的信赖度,并有接受持续上调价格的意向,而且HBM3E的硅贯通电极(TSV)收益率目前仅为40~60%,因此还有改善的余地。

Trend Force分析说,并不是所有主要供应商都通过了HBM3E顾客认证,因此购买者为了确保稳定、优质的供应,接受了更高的价格。

Trend Force表示:"今后每GB(千兆)的价格会根据DRAM供应商的信赖性和供应能力而有所不同,这会导致平均销售单价(ASP)的不均衡,最终会影响收益性。"

目前,SK海力士和三星电子为了确保HBM市场的主导权,正在增加HBM的生产能力,应对需求的增加。

此前,SK海力士首席执行官(CEO)郭鲁晶在2日举行的记者招待会上表示:"HBM今年已经'售罄',明年也大部分已经'售罄'。" 据悉,这里不仅包括最近开始供应的HBM3E 8段产品,还包括正在准备第三季度批量生产的HBM3E 12段产品。

三星电子存储器事业部战略营销室长(副社长)金在俊也在上个月30日举行的第一季度业绩电话会议上表示:"今年HBM的供应规模以比特为准，正在持续增加3倍以上，相关数量已经与供应商达成了协议"，"计划在2025年供应至少是今年的2倍以上，正在与客户公司进行顺利的协商。"


三星电子表示,将在第二季度内批量生产HBM3E 12段产品,SK海力士也准备将原定于明年开始供应的HBM3E 12段产品提前到第三季度批量生产。

HBM3E产品将搭载在英伟达将于下半年推出的B100和GB200等和AMD的MI350、MI375等新一代AI芯片上。

Trendforce预测:"从2025年主要AI解决方案提供企业的观点来看,HBM规格要求事项将大幅转换为HBM3E,12段产品将增加,这种变化将增加每个芯片的HBM容量。"